SiC（碳化硅）功率器件
与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。
SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。
罗姆在SiC功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，这些器件和模块在许多行业的应用中都实现了更佳的节能效果。
EcoSiC™是采用了因性能优于硅（Si）而在功率元器件领域备受关注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。
* EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
SiC功率器件 小册子[新产品] 新型二合一 SiC封装模块"TRCDRIVE pack™"
TRCDRIVE pack™是牵引逆变器驱动用SiC封装型模块的专用商标，标有该商标的产品利用ROHM自有的结构，更大程度地扩大了散热面积，从而实现了紧凑型封装。另外，新产品还搭载了低导通电阻的第4代SiC MOSFET，实现了是普通SiC封装型模块1.5倍的业界超高功率密度，非常有助于xEV逆变器的小型化。
* TRCDRIVE pack™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
第4代SiC MOSFET
新推出的第4代SiC MOSFET，在改善短路耐受时间的前提下实现了业内超低导通电阻。另外，还具有低开关损耗和支持15V栅-源电压等特点，有助于设备进一步节能。
SiC技术应用
通过使用罗姆的第4代SiC MOSFET，与传统产品相比，导通电阻可降低约40%，开关损耗可降低约50%。有助于提高电动汽车、数据中心、基站和智能电网等高电压和大容量发展的应用的便利性和电力转换效率。本应用笔记介绍了产生以上优点的机制。
阵容
SiC相关产品
ROHM致力于开发非常适合驱动SiC元器件的栅极驱动器IC，与SiC元器件结合使用时，可以更大程度地发挥出其特性。此外，罗姆还在开发内置SiC产品的IC，例如内置SiC MOSFET的AC/DC转换器控制IC。
