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ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
~实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围~

2025年3月6日

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。

新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）*4电路的“RS7E200BG”（30V），以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。

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随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速，对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外，对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势，预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要24小时不间断运转（始终通电），因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗，会对系统整体性能和能效产生很大影响。特别是在AC-DC转换电路中，其导通损耗占比较高，因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外，服务器配备了热插拔功能，可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备，在更换等情况下，服务器内部会产生较大的浪涌电流*5。因此，更大的安全工作区范围（宽SOA范围）对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此，ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装，与以往封装形式相比，封装内部的芯片可用面积增加，从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。

新产品均采用新开发的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封装，与以往的HSOP8（5.0mm×6.0mm）封装相比，封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻，30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ（Typ.），80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ（Typ.），非常有助于提高服务器电源电路的效率。

另外，通过优化封装内部的夹片形状设计，提高了散热性能，同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”，其SOA范围达70A以上（条件：脉冲宽度=1ms、VDS=12V时），与以往的HSOP8封装产品相比，在相同条件下SOA范围提高了一倍，从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。

新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格：710日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为OSAT（泰国）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Oneyac、Sekorm等电商平台均可购买。

ROHM计划在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。未来，ROHM将继续扩大相关产品阵容，为应用产品的高效运行和可靠性提升贡献力量。

＜产品阵容＞

产品型号 数据表 极性 VDSS
[V]		 ID
[A]		 PD
[W]		 RDS(ON)[mΩ] 封装名
（尺寸[mm]）
VGS=10V VGS=6.0V VGS=4.5V
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.
NewRS7E200BG PDF Nch 30 390 180 0.53 0.67 - - 0.75 1.06 DFN5060-8S
DFN5060-8S
(5.0×6.0×1.0)
NewRS7N200BH PDF 80 230 1.7 2.0 2.1 2.9 - -
NewRS7N160BH PDF 80 160 160 2.2 2.6 2.7 3.8 - -

＜关于EcoMOS™品牌＞

EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。

EcoMOS™


・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

＜应用示例＞

・企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路
・AI（人工智能）服务器48V系统电源的AC-DC转换电路
・工业设备48V系统电源（风扇电机等）

＜电商销售信息＞

开始销售时间：2025年2月起
电商平台：Oneyac、Sekorm
新产品在其他电商平台也将逐步发售。
产品型号：RS7E200BG、RS7N200BH、RS7N160BH

1枚起售

  • Oneyac
  • Sekorm

＜术语解说＞

*1）导通电阻（RDS(on)）
MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。
*2）SOA（Safe Operating Area）范围
元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。
*3）功率MOSFET
适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。
*4）热插拔控制器（HSC：Hot Swap Controller）
可在设备的供电系统运转状态下插入或拆卸元器件的、具有热插拔功能的专用IC（集成电路），发挥着控制插入元器件时产生的浪涌电流，并保护系统和所连接元器件的重要作用。
*5）浪涌电流（Inrush Current）
在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。