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GaN HEMT Power Stage IC
ROHM的GaN HEMT Power Stage IC可为需要高功率密度和效率的各种电力电子系统提供理想的解决方案。该产品集下一代功率器件GaN HEMT和为了更大程度地激发GaN HEMT性能而优化的栅极驱动器于一体，支持2.5V～30V的宽输入电压范围，可以与各种控制器IC结合使用。这些特点和优势使其能够取代超级结MOSFET等传统的分立功率开关。
ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”，并始终致力于进一步提高器件的性能。另外，ROHM不仅致力于元器件的开发，还与业内相关企业积极建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献力量。
* EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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