GNE1040TB
EcoGaN™, 150V 10A DFN5060, E-mode GaN HEMT
GNE1040TB
EcoGaN™, 150V 10A DFN5060, E-mode GaN HEMT
GNE1040TB是栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT。该产品属于EcoGaN™系列，该系列产品通过更大程度地激发低导通电阻和高速开关性能，助力应用产品更节能和小型化。GNE1040TB的电源效率在1MHz的高频段也高达96.5%以上。另外，该产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型DFN封装，这使得安装工序的操作更容易。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
VDS [V]
150
IDS [A]
10
VGS Rating [V]
8
RDS(on) [mΩ]
40
Qg [nC]
2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
特点：
- E-mode
- Reliable and easy to use with DFN package
- High gate voltage maximum rating 8V
- Very high switching frequency
Reference Design / Application Evaluation Kit
-
- Reference Design - REFLD002
- 适用于LiDAR的大功率激光二极管高速驱动EcoGaN™和高速栅极驱动器参考设计
LiDAR传感器不仅适用于车辆的自动驾驶应用，还适用于工业和基础设施领域的众多应用。LiDAR传感器需要具备更远的感测距离和高分辨率，不仅要提高激光二极管的特性，还需要以更快的速度和更高的功率驱动激光二极管。ROHM拥有905nm脉冲的高功率窄线宽激光二极管产品群（RLD90QZWx系列）。另外，ROHM还提供包括可高速驱动的下一代GaN器件“EcoGaN™”和用于GaN HEMT的高速栅极驱动器在内的参考设计，这将非常有助于提高LiDAR传感器的特性（距离、分辨率）。
- Enables high-speed driving of laser diodes - a key device in LiDAR applications
- Includes next-gen EcoGaN™ devices
- Built-in high-speed gate driver for GaN HEMTs (BD2311NVX-C)
- Two circuit types: square wave and resonant
