场截止沟槽型IGBT
利用ROHM的沟槽栅、薄晶圆技术实现了低VCE(sat)、低开关损耗的IGBT产品。
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Switching Frequency |
Short Circuit Withstand Time/TCS (Min.)[µs] | ||||
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High
Low
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0 | 2 | 5 | 8~10 | |
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