BR34E02FVT-3
DDR2/DDR3 SPD EEPROM
BR34E02FVT-3
DDR2/DDR3 SPD EEPROM
串行EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)是非易失性存储器，在电路板上可以进行电擦写。擦写时也可以以字节(byte)为单位进行擦写，这样适合用来存放数据。ROHM的串行EEPROM是具有高可靠性的高级产品系列。ROHM的串行EEPROM按照世界高水平为用户准备了多种容量、接口和封装形式，在世界上具有高的市场占有率。ROHM的串行EEPROM配置有世界标准的总线形式(Microwire、I²C、SPI)，而且工作电源电压范围宽(1.8 ～ 5.5V、2.5 ～ 5.5V)，还适合采用电池供电。整个系列均是无铅产品，符合RoHS指令。
主要规格
特性：
Series
Plug and Play
Density [bit]
2K
Bit Format [Word x Bit]
256 x 8
Comment
Cu wire bonding.
Vcc(Min.)[V]
1.7
Vcc(Max.)[V]
5.5
Circuit Current (Max.)[mA]
2
Standby Current (Max.)[μA]
2
Write Cycle (Max.)[ms]
5
Input Frequency (Max.)[Hz]
400k
Endurance (Max.)[Cycle]
106
Data Retention (Max.)[Year]
40
I/F
I2C BUS(2-Wire)
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
85
Package Size [mm]
3x6.4 (t=1.2)
特点：
・存储器模块用SPD存储器・工作电压范围宽：1.7～5.5V
・数据可擦写1,000,000次
