US6K1
2.5V Drive Nch+Nch MOSFET

电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。

主要规格

 
型号 | US6K1TR
Status | 可购买
封装 | TUMT6
包装形态 | Taping
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

Package Code

SOT-363T

JEITA Package

SC-113DA

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

0.24

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.24

Total gate charge Qg[nC]

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

1

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.0x2.1 (t=0.85)

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特点:

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