RH6P040BH
Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
RH6P040BH
Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
RH6P040BH是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0156
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0156
Total gate charge Qg[nC]
10.9
Power Dissipation (PD)[W]
59
Drive Voltage[V]
6
Trr (Typ)[ns]
48
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- Low on - resistance
- High power package(HSMT8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen free
- 100% Rg and UIS tested
产品概要
背景
近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。
概要
“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron），相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。
应用示例
◇通信基站和服务器用的电源
◇工业和消费电子产品用的电机
以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。
