RS6L090BG_数据表、主要规格

型号 | RS6L090BGTB1

Status | 推荐品

封装 | HSOP8 (Single)

包装形态 | Taping

包装数量 | 2500

最小独立包装数量 | 2500

RoHS | Yes

特性：

Package Code

HSOP8S (5x6)

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage V_DSS[V]

60

Drain Current I_D[A]

90

R_DS(on)[Ω] V_GS=4.5V(Typ)

0.0053

R_DS(on)[Ω] V_GS=10V(Typ)

0.0036

R_DS(on)[Ω] V_GS=Drive (Typ)

0.0053

Total gate charge Q_g[nC]

14

Power Dissipation (PD)[W]

73

Drive Voltage[V]

4.5

Trr (Typ)[ns]

41

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

4.9x6.0 (t=1.1)

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特点：

Low on - resistance
High power package (HSOP8)
Pb-free plating ; RoHS compliant
Halogen free
100% Rg and UIS tested

背景

近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。

概要

“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron），相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。