BV1LE040EFJ-C
具有诊断输出功能 车载用 IPD 1ch 低边开关

BV1LE040EFJ-C是一款适用于车载12V应用的单通道低边开关。产品内置OCP、DualTSD及有源钳位功能,利用其诊断功能可以进行TSD诊断。

主要规格

 
型号 | BV1LE040EFJ-CE2
Status | 推荐品
封装 | HTSOP-J8
包装形态 | Taping
包装数量 | 2500
最小独立包装数量 | 2500
RoHS | Yes

功能安全:

类别 : FS supportive
A product that has been developed for automotive use and is capable of supporting safety analysis with regard to the functional safety.

特性:

Type

Low side switches

Generation

GEN2

Qualification Grade

AEC-Q100 (Automotive Grade)

Feature

Standard / Error Flag

Overcurrent Protection

Limitation

Thermal Shut Down

Self-restart

Channel Number [ch]

1

ON Resistance(Typ.)[mΩ]

40

ON Resistance(Max.)[mΩ]

100

Nominal Current(Typ.)[A]

17.5

Supply Voltage(Min.)[V]

3

Supply Voltage(Max.)[V]

5.5

Drain-Source Voltage (Max.)[V]

40

Single Pulse Energy 25°C [mJ]

250

Over Current Limit (Min.)[A]

17.5

Under voltage Detection Level(Max.)[V]

3

Current consumption(Typ.)[µA]

100

Junction Temperature Tj (Min.)[°C]

-40

Junction Temperature Tj (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.9x6 (t=1)

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特点:

  • Built-in Dual TSD(This IC has thermal shutdown(Junction temperature detect) and ΔTj Protection(Power-MOS steep temperature rising detect))
  • AEC-Q100 Qualified(Grade1)
  • Built-in Over Current Protection Function(OCP)
  • Built-in Active Clamp Function
  • Direct Control Enabled from CMOS Logic IC, etc.
  • On Resistance RDS(ON) = 40mΩ(Typ)
    (when VIN = 5V, IOUT = 2.5A, Tj = 25℃)
  • Monolithic Power Management IC with the Control Block(CMOS) and Power MOS FET Mounted on a Single Chip

产品概要

 

背景

近年来,在汽车和工业设备领域,围绕自动驾驶(自动化)的技术创新日新月异,对安全性的要求也越来越高。在进行设备开发时,必须考虑到如何在紧急情况下确保功能安全。 传统上,通常采用机械继电器或MOSFET来执行电子电路的ON/OFF控制,但它们在系统故障时不具备相应的保护功能。从功能安全的角度来看,IPD具有保护功能,而且在寿命和可靠性方面也表现非常出色,因而得以日益普及,其市场规模正在不断扩大。
针对市场对提升可靠性的需求,ROHM早在2014年就开始构建IPD专用工艺。通过进一步提高专用工艺的电流承载能力,并结合ROHM的模拟设计技术优势,打造了更广泛的产品阵容。

接触放电耐受能力比较
ROHM的IPD产品阵容

概要

IPD不仅可以进行电子电路的ON/OFF控制,还内置有保护功能,可保护电路免受电气故障(异常时的过电流)的影响,有助于构建安全且可靠性高的系统。“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”配置在电机和照明等被控设备的下侧(接地侧)电路中,从电路结构方面看,具有可轻松替代机械继电器和MOSFET、易于设计的优点。

IPD内部的功率MOSFET部分在关断时会因反电动势而发热,本产品采用ROHM自有的电路和器件技术“TDACC™”,通过优化控制流过电流的通道数量,在保持小型封装的前提下抑制了发热量并实现了低导通电阻,这些特性在小型IPD中是很难同时兼顾的。 这将非常有助于各种设备的安全运行和减少功率损耗。采用TDACC™技术可以进一步缩小封装,从而成功地实现了业界尚不多见的SOP-J8封装双通道输出40mΩ(导通电阻)的产品。单通道和双通道产品均有40、80、160、250mΩ多种导通电阻值可选,能够满足客户多样化的需求。另外,接触放电耐受能力(表示对过电流浪涌的耐受能力)也高于普通产品,这将有助于各种设备的安全工作。

IPD内功率MOSFET部分的普通结构与ROHM自有TDACC™结构的示意图比较

应用示例

◇BCM(Body Control Module)、外饰灯和内饰灯、引擎、变速箱等车载电子设备
◇PLC(Programable Logic Controller)等工业设备
以及其他各种应用。

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