BD90302NUF-C
车载用5.5V 2A 带驱动器Pch/Nch 功率MOSFET
BD90302NUF-C
车载用5.5V 2A 带驱动器Pch/Nch 功率MOSFET
BD90302NUF-C是BD8Pxxx系列专用的升压用驱动器MOSFET。BD8Pxxx系列是带升压功能的降压DC/DC转换器。通过连接使用BD8Pxxx系列和BD90302NUF-C，可构成同步整流升降压DC/DC转换器。
主要规格
功能安全:
特性：
ch
1
Integrated FET / Controller
Integrated FET
Topology
Boost
Synchronous / Nonsynchronous
Synchronous
Vout1(Min.)[V]
3
Vout1(Max.)[V]
5.5
Iout1(Max.)[A]
0.8
SW frequency(Max.)[MHz]
2.4
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
3x3 (t=1)
Common Standard
AEC-Q100 (Automotive Grade)
特点：
- AEC-Q100 Qualified(Grade 1)
- Built-in Pch/Nch Power MOSFET with Drivers
- CTLIN Pin Enables to Control Pch/Nch Power MOSFET
- Wettable Flank SON Package
产品概要
Quick Buck Booster 概要
罗姆凭借模拟设计技术和电源类工艺，运用罗姆独有的高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，开发出升降压技术“Quick Buck Booster”。
在大幅改善响应性、显著降低输出电容器电容值的同时，实现了降压转换器与升降压转换器的通用设计。
将升压比固定的新构思
以往的升降压转换器通常为降压与升压各2个开关组合的4个开关结构，需要根据输入电压分别对驱动降压与升压的各开关的PWM(Pulse Width Modulation)信号进行个别且精细的控制，因此控制变得复杂。也就是说，升压与降压的2个大脑需要随时就输出进行协商，因此无法改善响应性。针对这个问题，罗姆引入了将升压比固定的新构思，不控制升压侧而只控制降压侧。因为无需控制升压侧，就变成只有1个大脑，所以输入电压变动的响应性得到了大幅提高。
同时，也没有受单芯片化的趋势束缚，而是在以降压为基本型，以选项方式附加升压专用IC形成升降压，采用双芯片结构实现通用化。
可将降压转换器性能直接用于升降压的技术
通过搭载Quick Buck Booster技术，与以往的升降压电源相比，并未降低性能方面占优的降压电源特性，即可切换为升降压电源。
也就是说，可以将罗姆的高性能降压转换器的性能直接用于升降压，从而实现低消耗电流、电容器的小型化和减少电容数量。
特点1 快速响应
大幅改善升降压转换器的响应特性。将输出电容器的电容降至1/2。
搭载Quick Buck Booster技术的升降压电源芯片组可将输出电压的变动控制在±100mV，并大幅缩短其变动时间。实现了启动时ECU的稳定动作。
可以将以往为改善响应性而在输出侧附加的电容器电容减半，还有助于降低成本和节省空间。
特点2 通用设计①
实现降压与升降压的通用设计，减轻电源电路设计的负担。
BD8P250MUF-C不仅作为优秀的单芯片降压转换器使用，还可通过附加升压专用IC，作为升降压芯片组使用。这是从客户角度出发的构思，如下图所示，只需对同一个电路板上的同一个外接部位附加升压专用IC，即可无视因车型而异的电池电压最小值，实现降压与升降压的通用设计。此外，IC内置了相位补偿，以减轻切换时的负担。为电源设计的省时省力提供支持。
特点3 通用设计②
通过电路板设计的通用化，将电源相关开发工时减少50％。
通过电路板设计的通用化，与分别设计升降压电源和降压电源时相比，只需对1个电源探讨、评估，因此可将开发工时减少50％。
特点4 高效率
实现低消耗电流，大幅提升轻负载时的效率。
罗姆利用多年积累的低消耗电流技术，在从12V电池电压获得5V输出电压时，实现8μA这一极低的无负载时消耗电流。由此大幅提升轻负载、无负载时的效率，在输出电流负载为0.1mA时，降压、升降压均达到73％的高效率。
特点5 低EMI
低噪声，完全符合严苛的国际标准。
低噪声是DC/DC转换器所必须具备的条件。下图所示为从12V的输入电压得到5V输出电压时的EMI平均值和峰值。该产品以2.2MHz进行工作，因此通常会在2.2MHz和4.4MHz等时出现噪声峰值，但通过使用使时钟频率产生微小变动的扩频功能抑制峰值，大幅降低EMI。可轻松达到以严苛的国际标准而知名的A“CISPR25 Class5※ ”的标准值。
