SCT3040KRHR
1200V, 55A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET

SCT3040KRHR是一款1200V 55A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻,是符合AEC-Q101标准的高可靠性车载级产品。

主要规格

 
型号 | SCT3040KRHRC15
Status | 推荐品
封装 | TO-247-4L
包装形态 | Tube
包装数量 | 450
最小独立包装数量 | 30
RoHS | Yes
长期供货计划 | 10 Years

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

40

Generation

3rd Gen (Trench)

Drain Current[A]

55

Total Power Dissipation[W]

262

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x23.45 (t=5.2)

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

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特点:

  • Qualified to AEC-Q101
  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant

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Different Grade

SCT3040KR   Grade| Standard Status推荐品

Reference Design / Application Evaluation Kit

 
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      此参考设计与 ESC 的“用于电动汽车的 CLLLC 全桥双向电源转换器”无缝联动,可以构建诸如 OBC 等应用。


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      此参考设计与 ESC 的“用于电动汽车的 CLLLC 全桥双向电源转换器”无缝联动,可以构建诸如 OBC 等应用。


      • DC-DC CLLLC Full Bridge 双向电源转换
      • 比IGBT小约50%
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