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SiC（碳化硅）肖特基二极管
SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
罗姆已发布的第3代SiC SBD的SCS3系列能够提供更大的浪涌电流容量，同时还能进一步降低第2代SBD的正向电压。
宽爬电距离封装 SiC肖特基势垒二极管 - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
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