ROHM Parametric

SiC(碳化硅)肖特基势垒二极管Bare Die

SiC(碳化硅)肖特基势垒二极管Bare Die

SiC肖特基势垒二极管支持从整流、信号调节和开关等各种应用,主要特点是低功率和快速开关。此外,与硅基快恢复二极管的trr会随温度的升高而增加不同,SiC器件可在高温下保持恒定的特性,因而可以提高电路性能。

通过内置SiC SBD减小套件的尺寸。因此有好多理由可以考虑使用SiC SBD Bare Die。

Bare Die产品并未通过网络销售,也未在网络分销商销售,关于购买请联系我们

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