SCS210AJ
SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管
SCS210AJ
SCS210AJ
SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管
可降低开关损耗，可高速开关。 表面封装。
主要规格
特性：
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
10
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
83
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
特点：
・反向恢复时间短・能够高速开关
・特性的温度影响小
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产品视频一览
宽爬电距离封装 SiC肖特基势垒二极管 - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。