SCS220KN (新产品)
1200V, 20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD
SCS220KN
SCS220KN (新产品)
1200V, 20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD
Switching loss reduced, enabling high-speed switching. (Wide creepage distance, 3-pin package)
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
1200
Continuous Forward Current[A]
20
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
272
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
特点：
- Low forward voltage
- Negligible recovery time/current
- Temperature independent switching behavior
- Wide creepage distance = min. 5.10mm
Videos & Catalogs
产品视频一览
宽爬电距离封装 SiC肖特基势垒二极管 - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。