活动 | 解密罗姆第4代SiC MOSFET
03/11/2022
试问，如果有一款最高可让汽车电耗降低10%的SiC MOSFET摆在你面前，有没有兴趣了解一下？
在汽车领域中，如何进一步改善功率元器件性能始终是重要研究课题。在此方面，罗姆积累了丰富的基础研究和实践经验，并已成功开发出可帮助广大车企降本增效的利器——第4代SiC MOSFET。
第4代SiC MOSFET同时支持18V栅源驱动电压（Vgs）和更容易处理的15V栅源驱动电压，因此可与IGBT一起用来设计驱动电路（栅极驱动电路），极大降低了设计师的操作门槛，并通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功使开关损耗比以往产品降低约50％。
值得一提的是，通过进一步改进自有的双沟槽结构，这款SiC MOSFET还可在不牺牲主驱逆变器等要求的短路耐受时间前提下，大幅降低导通电阻比，实现了业界超低的导通电阻，从而助力车载逆变器和各种开关电源等各种应用更加顺利地走上低功耗、小型化之路。
Round 1
大家可以左右滑动九宫格，尝试拼成一张完整卡片，来见识一下罗姆明星产品——第4代SiC MOSFET的庐山真面目！相信各位工程师一定都是心灵手巧之人，赶快来试试吧！
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Round 2
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*活动最终解释权归罗姆半导体集团所有