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评估板可轻松评估ROHM的 SiC肖特基势垒二极管、SiC MOSFET、“全SiC”功率模块（集成了SiC SBD和MOSFET）以及高耐热功率模块等系列产品。
这些小型、高效的半导体器件能够显著减小最终产品的尺寸，与评估板配合使用还可以帮助客户进行原型应用程序和初始开发。

评估板产品阵容

Category		SiC Product	Part No.	Maker	产品详情	User Guide	参考板获取
SiC-MOS	Evaluation Board	SCT4XXX series Trench(4^th Generation) TO-247-N	NEW P04SCT4018KE-EVK-001	ROHM	详情	使用说明书产品规格书	从网售平台购买
		SCT4XXX series Trench(4^th Generation) TO-247-4L	NEW P05SCT4018KR-EVK-001		详情	使用说明书产品规格书	从网售平台购买
		SCT3XXX series Trench(3G) TO-247 3L/4L	P02SCT3040KR-EVK-001		详情	使用说明书产品规格书	从网售平台购买
SiC Module	Drive board	BSM series Planar (2G)(1200V, E / G type)	BSMGD2G12D24-EVK001		-	用户指南	咨询
		BSM series Trench(3G/4G) (1200V,E/G type)	BSMGD3G12D24-EVK001		-	用户指南	咨询
		BSM series (1200V,C type)	BSMGD3C12D24-EVK001		-	用户指南	咨询
		BSM series (1700V,E type)	BSMGD2G17D24-EVK001		-	用户指南	咨询
		BSM series (1200V,1700V E/G type)	2EG-B series	TAMURA	株式会社田村制作所官网
	Snubber Module	BSM series (1200V, C type)	MGSM1D72J2-145MH26	ROHM	-	咨询
		BSM series (1200V, E / G type)	MGSM1D72J2-145MH16		-
		BSM250 (1700V, E type)	MGSM1D72J3-934MH93		-
AC/DC	Evaluation Board	BM2SCQ123T-LBZ	BM2SCQ123T-EVK-001	ROHM	-	应用手册	从网售平台购买
AC/DC	Evaluation Board	SCT2H12NZ	BD7682FJ-LB-EVK-402	ROHM	详情	应用手册	从网售平台购买

评估板详情

P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001

P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001是一款可以评估采用TO-247N/TO-247-4L封装的第4代SiC MOSFET的评估板。对于所搭载的SiC MOSFET，可以选择并购买所需导通电阻值的器件来进行评估。该评估板中配有栅极驱动器和外围电路，可以减少设计和评估工时。

P02SCT3040KR-EVK-001

罗姆 SCT3040KR（1200V　40mΩ　TO-247-4L）评估用
通过改变电路乘数器，可用来评估罗姆其他 SiC－MOSFET
除TO-247-4L外，还有TO-247-3L的通孔，可在同一评估板上进行对比评估
单一电源（+12V工作）
可进行最大150A的双脉冲测试，最大开关工作频率500kHz
支持各种电源拓扑（Buck, Boost, Half-Bridge）
内置栅极驱动用隔离电源，可通过可变电阻调整（+12V～+23V）
可通过跳线引脚来切换栅极驱动用负偏压和零偏压
可防止上下臂同时导通，内置过电流保护功能（DESAT, OCP）

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[新产品] 4引脚封装SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”

罗姆开发出6款沟槽栅结构SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源，太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
此次新开发的系列产品，采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。

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