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ROHM开发出确保安装可靠性的车载用超小型MOSFET“RV4xxx系列”

2019年7月23日

＜概要＞

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，该系列产品可确保部件安装后的可靠性，且符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，是确保车规级品质的高可靠性产品。另外，产品采用了ROHM独有的封装加工技术，非常有助于对品质要求高的高级驾驶辅助系统（ADAS）摄像头模块等汽车电子的小型化。
RV4xxx系列已于2019年5月份开始出售样品（样品价格 100日元／个，不含税），预计于2019年9月开始暂以月产10万个规模投入量产。

MOSFET「RV4xxx系列」

＜背景＞

近年来，ADAS不可或缺的车载摄像头，受安装空间的限制，对所配置部件的小型化要求越来越高。为满足这些市场需求，在保持大电流的前提下，有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET备受瞩目。
另一方面，对于汽车电子产品，为确保可靠性，会在产品安装后进行外观检测*1)，但由于底部电极封装在侧面没有充分形成稳定的焊接面，因此无法确保汽车电子需要的焊料高度，并且很难确认安装后的焊接状态，这是长期以来存在的课题。
ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在内的产品的开发，并创造了傲人业绩。此次，通过引入ROHM独有工艺方法的 Wettable Flank成型技术*2)，底面电极封装也能形成焊接面。保证封装侧面电极部分130μm的高度，因此可在产品安装后的外观检测中可以充分确认焊接状态。
未来，ROHM会充分运用Wettable Flank成型技术优势，继续开发小型封装技术，并将技术优势从MOSFET扩展到双极晶体管和二极管产品，持续扩充追求小型高可靠性的产品阵容。

车载用超小型MOSFET“RV4xxx系列”的优势:实现产品安装时的焊料高度在130μm以上，安装可视性更高

＜特点＞

1. 利用融入ROHM独有工艺方法的Wettable Flank成型技术，保证封装侧面电极部分130μm的高度

Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架部加入切割再进行电镀的技术。但是，引线框架切割高度越高越容易产生毛刺。
为此，ROHM开发出独有的工艺方法，在引线框架整个表面上设置了用来减少毛刺的阻挡层。这可以防止产品安装时的倾斜和焊接不良，而且作为DFN1616封装产品（1.6mm×1.6mm），保证封装侧面电极部分130μm的高度。

利用融入ROHM独有工艺方法的Wettable Flank成型技术，保证封装侧面电极部分130μm的高度

 

2. 替换为小型底部电极 MOSFET，削减安装面积

以往ADAS摄像头模块的反接保护电路主要采用肖特基势垒二极管（SBD）。但是，随着摄像头的分辨率日益提高，在超大电流化方向发展的车载市场，由于小型底部电极MOSFET具有导通电阻低且可减少发热量的特点，替换掉SBD已经是大势所趋。
例如电流2.0A、功耗0.6W时，在车载市场被广为使用的带引脚封装MOSFET，与SBD相比，可削减30%的安装面积。而底部电极封装的MOSFET，由于是底部电极，散热性更好，不仅可实现小型化，还可实现大电流化。因此，与传统的SBD相比，其安装面积可削减78%，与普通的MOSFET相比，其安装面积可削减68%。

替换为小型底部电极 MOSFET，削减安装面积

＜产品阵容＞

产品名称极性
[ch]		漏极
源极间
耐压
VDSS[V]		漏极
电流
ID[A]		驱动电压
[V]		漏极 - 源极间导通电阻
RDS(on)[mΩ]
@VGS=10V		RDS(on)[mΩ]
@VGS=4.5V		RDS(on)[mΩ]
@VGS=4.0V		RDS(on)[mΩ]
@VGS=2.5V		RDS(on)[mΩ]
@VGS=1.8V		RDS(on)[mΩ]
@VGS=1.5V
Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.

RV4E031RP HZG		P303.14.075105108152122172──────

RV4C020ZP HZG		P202.02.5──180260──240340320450400560

＜术语解说＞

*1)  外观检测
也称自动光学检查或AOI（Automated Optical Inspection）。例如，用摄像头扫描电路板，以检查部件缺陷和品质缺陷、焊接状态等。
*2)  Wettable Flank技术
在QFN和DFN等底部电极封装的侧面引线框架部加入切割再进行电镀加工，在侧面也形成电极的技术。
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