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SiC 模块并联驱动振荡的抑制方法

SiC MOSFET与传统 Si器件相比，具有高电压、大电流、高速驱动、低损耗、高温稳定等诸多优点，是新一代器件。 近年来，利用这些优异特性，作为向大功率发展的电动汽车 (EV) 的牵引逆变器电路，并联连接多个 SiC MOSFET元件的功率模块被使用的情况越来越多。
另一方面，由于并联使用这样的高速元件，有时会发生元件间的并联驱动振荡 (以下简称振荡)。发生振荡的话元件有破坏的危险，因此抑制对策是市场的重要课题之一。
本应用笔记将介绍有效抑制功率模块振荡的方法。

目录

1. 基础理论
　1-1. 振荡发生的机制
　1-2. 振荡抑制的想法（改善相位差）
　1-3. 影响相位裕量的实际参数
2. 模块的寄生电感Ldd, Lgg, Lss
　2-1. Ldd, Lgg, Lss的定义
　2-2. 模块布局中的Ldd, Lgg, Lss
3. 总结
4. 参考文献

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SiC MOSFET Application Note