RFN1VWM2S
200V 1A 14ns, PMDE, 超快恢复二极管
RFN1VWM2S
200V 1A 14ns, PMDE, 超快恢复二极管
RFN1VWM2S是trr（高频工作时的重要参数）非常出色的二极管。该产品用小型PMDE封装实现了与ROHM以往产品同等的电气特性。PMDE是可靠性高、散热性能优异的封装形式。
主要规格
特性：
Configuration
Single
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
200
Reverse Voltage VR[V]
200
Average Rectified Forward Current IO[A]
1
IFSM[A]
20
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.93
IF @ Forward Voltage [A]
1
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.001
VR @ Reverse Current [V]
200
trr(Max.)[ns]
25
IF @ trr [mA]
0.5
IR @ trr [A]
1
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
1.3x2.5 (t=1.0)
特点：
- Low switching loss
- Low forward voltage
- High current overload capacity
产品概要
背景
从车载设备到工业设备和消费电子设备的广泛应用中，二极管被广泛用于电路整流、保护和开关用途，为了削减安装面积，要求减小二极管的封装尺寸。此外，在这些应用中，还需要使用更高性能的二极管来降低功耗。而另一方面，当减小二极管的封装尺寸时，背面电极和模塑表面积也会减小，从而会导致散热性变差。对此，ROHM的PMDE封装通过扩大背面电极和改善散热路径，提高了散热性能。封装小型化的同时，实现与传统封装同等的电气特性。
概要
PMDE封装是ROHM自有的小型封装，具有与普通SOD-323封装相同的焊盘图案。通过改善背面电极和散热路径，用更小的封装尺寸实现了与普通SOD-123FL封装（3.5mm×1.6mm）同等的电气特性（电流、耐压等），并且使安装面积减少约42%，有助于电路板的小型化。此外，安装强度约为SOD-123FL封装的1.4倍，降低了电路板承受应力时产生裂纹（产品龟裂）的风险，因此安装可靠性更高。
PMDE封装的特点
1．以小型封装实现与传统封装同等的性能
通常，半导体元器件将通电时产生的热量散发到空气中或电路板上。但是，当减小封装尺寸时，背面电极和模塑表面积也会随之减小，从而使散热性变差。
对此，PMDE封装通过扩大背面电极面积，同时改善了散热路径，将经由引线框架散热改为直接散发到电路板上。这使散热性能大幅提升，以更小的尺寸（2.5mm×1.3mm）即可实现与普通SOD-123FL封装（3.5mm×1.6mm）同等的电气特性，从而可减少约42%的安装面积，非常适合元器件安装密度不断提高的车载应用。
2．确保比传统封装更高的可靠性
PMDE封装通过扩大其背面电极面积，增加了金属部分所占的面积，从而实现了34.8N的贴装强度，约为SOD-123FL封装的1.4倍。该优势降低了电路板承受应力时产生裂纹（产品龟裂）的风险，有助于提高可靠性。此外，通过采用将芯片直接夹在框架之间的无线结构，还实现了出色的抗浪涌电流能力（IFSM）。即使在汽车引擎启动和家电运行异常等突发大电流状况下，也不易损坏，高可靠性得到保证。
FRD： RFN系列的特点
FRD是具有与整流二极管同等的高耐压（～800V）性能、在高频工作时很重要的参数——trr（反向恢复时间）表现出色的二极管。RFN系列用小型PMDE封装实现了与以往产品同等的电气特性。
应用示例
- ・引擎ECU
- ・变速箱ECU
- ・电视
- ・ADAS
- ・空调
- ・车载信息娱乐系统
