RBR1VWM30A
30V, 1A, 肖特基势垒二极管
RBR1VWM30A
30V, 1A, 肖特基势垒二极管
RBR1VWM30A是普通整流用的低VF肖特基势垒二极管。
主要规格
特性：
Configuration
Single
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
30
Reverse Voltage VR[V]
30
Average Rectified Forward Current IO[A]
1
IFSM[A]
30
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.48
IF @ Forward Voltage [A]
1
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.05
VR @ Reverse Current[V]
30
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
1.3x2.5 (t=1.0)
特点：
- High reliability
- Small power mold type
- Low VF
产品概要
背景
在各种应用产品中，通常使用二极管来实现电路整流和保护。随着各种应用产品对更低功耗的要求，比其他二极管效率更高的SBD正越来越多地被采用。另一方面，如果为了追求效率而降低VF，则存在此消彼长关系的IR将会升高，热失控的风险会随之增加，因此在设计电路的过程中，选择SBD时需要很好地权衡VF和IR，这一点很重要。
在这种背景下，ROHM追求低VF特性和低IR特性之间的平衡，并进一步加强了SBD小型化产品阵容，以车载市场为中心创造了非常优异的业绩。ROHM针对已经颇具量产成果的RBR系列，面向大电流、高电压和小型化，进一步扩大了产品阵容，从而可以在更广泛的应用中实现整流和保护工作。
概要
通过采用新工艺，RBR系列的芯片性能都得到很大提升，与ROHM以往产品相比，效率提高了25%。
不仅如此，RBR系列具有出色的低VF（正向电压）特性（该特性是提高效率的关键），并实现了低损耗。该系列产品非常适用于要求提高效率的应用，比如车载设备中的车载充电器，以及消费电子设备中的笔记本电脑等。
特点
1.具有低VF特性，损耗更低
RBR系列不仅保持了与低VF特性存在此消彼长关系的低IR特性，与相同尺寸的ROHM以往产品相比，VF特性降低约25%，损耗更低。因此，不仅非常适用于要求更高效率的车载充电器等车载设备，还非常适用于要求更节能的笔记本电脑等消费电子设备。
此外，与同等性能的产品相比，RBR系列还可实现芯片的小型化，因此受芯片尺寸影响的封装也可以采用更小型的封装形式。例如，如果以往产品尺寸为3.5mm×1.6mm（PMDU封装），则通过将其替换为2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封装）的产品，可使安装面积减少约42%。
2.新增小型封装，产品阵容更丰富
在RBR系列中，增了12款 2.5mm×1.3mm的PMDE封装产品（消费电子和车载领域各6款）。至此，该系列已拥有共140款产品的丰富产品阵容（耐压：30V、40V、60V；电流：1A～40A），进一步扩大了在车载设备和消费电子设备领域的应用范围。
支持应用例
- ●RBR系列
- ・车载充电器
- ・LED前照灯
- ・汽车配件
- ・笔记本电脑
