RB168VWM150
150V 1A, 单向, PMDE, 超低IRSBD
RB168VWM150
150V 1A, 单向, PMDE, 超低IRSBD
RB168VWM150是一款超低IR肖特基势垒二极管。非常适用于普通整流应用。
主要规格
特性：
Configuration
Single
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
150
Reverse Voltage VR[V]
150
Average Rectified Forward Current IO[A]
1
IFSM[A]
25
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.89
IF @ Forward Voltage [A]
1
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.001
VR @ Reverse Current[V]
150
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
1.3x2.5 (t=1.0)
特点：
- High reliability
- Small power mold type
- Ultra low IR
产品概要
背景
从车载设备到工业设备和消费电子设备的广泛应用中，二极管被广泛用于电路整流、保护和开关用途，为了削减安装面积，要求减小二极管的封装尺寸。此外，在这些应用中，还需要使用更高性能的二极管来降低功耗。而另一方面，当减小二极管的封装尺寸时，背面电极和模塑表面积也会减小，从而会导致散热性变差。对此，ROHM的PMDE封装通过扩大背面电极和改善散热路径，提高了散热性能。封装小型化的同时，实现与传统封装同等的电气特性。
概要
PMDE封装是ROHM自有的小型封装，具有与普通SOD-323封装相同的焊盘图案。通过改善背面电极和散热路径，用更小的封装尺寸实现了与普通SOD-123FL封装（3.5mm×1.6mm）同等的电气特性（电流、耐压等），并且使安装面积减少约42%，有助于电路板的小型化。此外，安装强度约为SOD-123FL封装的1.4倍，降低了电路板承受应力时产生裂纹（产品龟裂）的风险，因此安装可靠性更高。
PMDE封装的特点
1．以小型封装实现与传统封装同等的性能
通常，半导体元器件将通电时产生的热量散发到空气中或电路板上。但是，当减小封装尺寸时，背面电极和模塑表面积也会随之减小，从而使散热性变差。
对此，PMDE封装通过扩大背面电极面积，同时改善了散热路径，将经由引线框架散热改为直接散发到电路板上。这使散热性能大幅提升，以更小的尺寸（2.5mm×1.3mm）即可实现与普通SOD-123FL封装（3.5mm×1.6mm）同等的电气特性，从而可减少约42%的安装面积，非常适合元器件安装密度不断提高的车载应用。
2．确保比传统封装更高的可靠性
PMDE封装通过扩大其背面电极面积，增加了金属部分所占的面积，从而实现了34.8N的贴装强度，约为SOD-123FL封装的1.4倍。该优势降低了电路板承受应力时产生裂纹（产品龟裂）的风险，有助于提高可靠性。此外，通过采用将芯片直接夹在框架之间的无线结构，还实现了出色的抗浪涌电流能力（IFSM）。即使在汽车引擎启动和家电运行异常等突发大电流状况下，也不易损坏，高可靠性得到保证。
SBD： RBxx8系列的特点
SBD是具有低VF（正向电压）和高效率特点的二极管。RBxx8系列具有超低IR（反向电流）特性、在高温环境下也能稳定运行的。
应用示例
- ・白色家电
- ・车载信息娱乐系统
- ・笔记本电脑
- ・风扇电机
- ・FA电源
Videos & Catalogs
