GNE1008TB (开发中)
EcoGaN™, 150V 30A DFN5060, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNE1008TB
GNE1008TB (开发中)
EcoGaN™, 150V 30A DFN5060, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNE1008TB 是一款具有 8V 栅极电压的 150V GaN HEMT，属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品的低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸；即使在1MHz的高频段，电源效率也可达到96.5%以上。另外，通过采用通用性高的DFN封装，不仅散热性能出色，还非常易于安装。
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
VDS [V]
150
IDS [A]
30
VGS Rating [V]
8
RDS(on) [mΩ]
8.5
Qg [nC]
7
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
特点：
- E-mode
- Reliable and easy to use with DFN package
- High gate voltage maximum rating 8V
- Very high switching frequency
