RGCL80TK60
低VCE(sat) 型, 600V 40A, TO-3PFM,沟槽式场截止型 IGBT
RGCL80TK60
RGCL80TK60
低VCE(sat) 型, 600V 40A, TO-3PFM,沟槽式场截止型 IGBT
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。
主要规格
特性：
Series
CL: Low VCE(sat)
VCES [V]
600
IC(100°C)[A]
21
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.4
tf(Typ.) [ns]
204
Pd [W]
57
BVCES (Min.)[V]
600
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
特点：
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- Soft Switching
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
