QS8K13
4V Drive Nch+Nch MOSFET
QS8K13
4V Drive Nch+Nch MOSFET
电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
6
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.028
Total gate charge Qg[nC]
5.5
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.0x2.8 (t=0.85)
