RQ1C065UN
1.5V Drive Nch MOSFET
RQ1C065UN
1.5V Drive Nch MOSFET
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
6.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.016
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.029
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特点：
・低电压1.5V驱动型 Nch MOSFET
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