RQ1E100XN
4V Drive Nch MOSFET
RQ1E100XN
4V Drive Nch MOSFET
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.01
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0095
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.01
Total gate charge Qg[nC]
12.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.0x2.8 (t=0.85)
