ROHM Parametric

栅极驱动器

栅极驱动器

采用罗姆独创的微细加工技术，开发出片上变压器工艺。进而成功开发出小型、内置绝缘元件的栅极驱动器。

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Power Device Isolation Voltage Driving Capability(Iout) Function Operation Voltage Secondary side Miller Clamp Secondary UVLO [ON/OFF] Short Circuit
Protection (Note 2)		 DESAT (Note 2) Soft Turn OFF
after short detection		 Temp Monitor Thermal shut down
with Ext. Sensor		 Package Evaluation Kit
Simple Complex Positive Voltage Negative Voltage
Automotive
～Gen3 SiC
Drive voltage
over 18V		 3.75k
Vrms		 ±4A BM61S40RFV-C - 4.5
to
5.5V		 16
to
20V		 - Built-in 14.5V/
15.0V		 - - - - - SSOP-B10W ✔
BM61S41RFV-C 16
to
24V		 - Built-in 14.5V/
15.0V		 - - - - - SSOP-B10W ✔
SiC,
IGBT,
Si-MOSFET		 3.75k
Vrms		 ±20A - BM6112FV-C 4.5
to
5.5V		 14
to
20V		 -12
to
0V		 Ext. MOSFET 11.5V/
12.5V		 ✔ ✔ ✔ ✔ - SSOP-B28W -
2.5k
Vrms		 ±9A - BM60060FV-C 8
to
24V		 13.5
to
24V		 - Built-in 11.5V/
12.5V		 ✔ - ✔ ✔ - SSOP-B28W -
±5A - BM60055FV-C 4.5
to
30V		 9
to
24V		 - Built-in ✔
(Note 1)		 ✔ - ✔ - ✔ SSOP-B28W -
±4.5A - BM6109FV-C 4.5
to
5.5V		 14
to
18V		 - Ext.
MOSFET		 12.0V/
12.5V		 ✔ - ✔ ✔ - SSOP-B28W -
±3A - BM6101FV-C 4.5
to
5.5V		 14
to
24V		 -12
to
0V		 Ext.
MOSFET		 11.5V/
12.5V		 ✔ ✔ ✔ - ✔ SSOP-B20W -
BM6102FV-C 4.5
to
5.5V		 14
to
20V		 -  Ext.
MOSFET		 11.5V/
12.5V		 ✔ ✔ ✔ - ✔ SSOP-B20W -
BM6104FV-C 4.5
to
5.5V		 10
to
24V		 -12
to
0V		  Ext.
MOSFET		 9.05V/
9.55V		 ✔ ✔ ✔ - - SSOP-B20W -
BM60052AFV-C 4
to
32V		 10
to
20V		 -12
to
0V		 Built-in ✔
(Note 1)		 - ✔ ✔ - ✔ SSOP-B28W -
BM60054AFV-C 4
to
32V		 10
to
20V		 -12
to
0V		 Built-in ✔
(Note 1)		 ✔ ✔ ✔ - ✔ SSOP-B28W -
Si-MOSFET 3.75k
Vrms		 ±4A BM61M41RFV-C - 4.5
to
5.5V		 9
to
24V		 - Built-in 7.4V/
7.8V		 - - - - - SSOP-B10W ✔
Industry
SiC
IGBT
Si-MOSFET		 2.5k
Vrms		 ±3A - BM6108FV-LB 4.5
to
5.5V		 10
to
24V		 -12V
to
0V		 Ext.
MOSFET		 9.05V/
9.55V		 ✔ ✔ ✔ - - SSOP-B20W -
Si-MOSFET - +3.5A/
-4.5A		 - BD2320UEFJ-LA 7.5
to
14.5V		 - - - - - - - - - HTSOP-J8 -
GaN HEMT - +7A/
-5A		 BD2311NVX-LB - 4.5
to
5.5V		 - - - - - - - - - SSON06RX2020 ✔
Consumer
Si-MOSFET - ±4A BD2310G - 4.5
to
18V		 - - - - - - - - - SSOP5 -

(Note 1) OFF/ON Voltage is adjustable by external settings
(Note 2) Either of SCP and DESAT function can be used

产品系列

 
 
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      评估板

       

      为了确保功率器件能够安全且充分发挥性能地工作，栅极驱动器IC的选择十分重要。
      ROHM的栅极驱动器IC评估板具有以下产品阵容。
      考虑到栅极驱动器IC评估板需要连接到设置板上的功率器件以进行评估，所以减小了基板面积。
      单通道栅极驱动器IC的评估板除了有1pcs实装品之外，还提供适用于板桥电路的2pcs实装品。
      此外 ，通过启用栅极驱动器IC用的Spice模型，还可以通过Simulation进行应用验证。

      使用案例

      开发板上栅极驱动器IC的替换案例

      使用案例

      栅极驱动器IC评估板可用于替换开发板上的栅极驱动器IC。
      不同封装和引脚的栅极驱动器IC很难在开发板上进行直接替换。
      栅极驱动器IC评估板的电源、信号输入输出端子的布局考虑到与开发板的布线链接，也可在评估板上使用需要调整的栅极电阻。

      Galvanic Isolation Series [Isolation Voltage: 3.75kVrms]

      评估板 栅极驱动器IC 评估板
      EVK Name Application Gate Drive
      Voltage,
      Current      		 Gate Drive
      Channel      		 电路板
      概要      		 Board size
      [mm]      		 Parts Name IC概要 Spice
      模型      		 评估板
      使用指南      		 购买
      BM61S40RFV-EVK001 SiC MOSFET
      Gate Drive      		 16 to 20V,
      4A
      (Note 1)      		 1ch 概要 33 x 16 BM61S40RFV-C IC概要
      概要      		 Spice
      模型      		 使用指南 网上代理店
      BM61S40RFV-EVK002 2ch 33 x 32 使用指南 网上代理店
      BM61S41RFV-EVK001 SiC MOSFET
      Gate Drive      		 16 to 24V,
      4A      		 1ch 33 x 16 BM61S41RFV-C Spice
      模型      		 使用指南 网上代理店
      BM61S41RFV-EVK002 2ch 33 x 32 使用指南 网上代理店
      BM61M41RFV-EVK001 Si MOSFET
      Gate Drive      		 9 to 24V,
      4A      		 1ch 33 x 16 BM61M41RFV-C Spice
      模型      		 使用指南 网上代理店
      BM61M41RFV-EVK002 2ch 33 x 32 使用指南 网上代理店

      (Note 1) Max Gate Drive Voltage is protected by Over Voltage Protection

      评估板

      Galvanic Isolation Series在对应基础绝缘的应用方面拥有单通道驱动产品，以及可以应用在板桥电路上的双通道驱动产品。

      1ch Galvanic Isolation Gate Driver Board (1pcs)

      使用指南
      应用案例

      相关产品

      2ch Galvanic Isolation Gate Driver Board (2pcs)

      使用指南
      应用案例

      相关产品

      栅极驱动器IC

      Small footprint for 8mm creepage distance

      1ch 栅极驱动器
      • 1ch栅极驱动器
      • Small Package: 3.5mm x 10.2mm x 1.9mm
      • 基础绝缘
      • Miller Clamp　内置电路
      • I/O Delay time: 65ns (Max)
      • 通过双输入信号（INA、INB）实现伴有输出逻辑控制、外部噪音的栅极“H”输出防止设计
      • 输入信号电压(Note 2)：　VINH:2.0 V　or over　/ VINL : 0.8V or under

      (Note 2) 信号输入侧的电源电压范围（VCC1）是与输入信号无关的4.5~5.5V。

      Truth table

      INA
      (input)      		 INB
      (input)      		 OUT
      (Output)
      L H L
      H L H
      L L L
      H H L
      测定图

      1200V High Voltage High and Low Side Driver

      评估板 栅极驱动器IC 评估板
      EVK Name Application Gate Drive
      Voltage,
      Current      		 Miller Clamp 电路板
      概要      		 Board size
      [mm]      		 Parts Name IC概要 Spice
      模型      		 评估板
      使用指南      		 购买
      BM60212FV-EVK001 IGBT Gate Drive
      Si MOSFET Gate Drive      		 10 to 24V,
      3A
      (Note 3)      		 Built-in 概要 33 x 21 BM60212FV-C IC概要
      概要      		 - 使用指南 网上
      代理店
      BM60213FV-EVK001 - BM60213FV-C - 使用指南 网上
      代理店

      (Note 3) Power supply voltage is from 10 to 24V relative to low-side and input-side ground.

      评估板

      仅需与应用链接，即可简单替换。

      使用指南
      应用案例

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      栅极驱动器IC

      栅极驱动器
      • Turn on/off time: 75ns (Max)
      • 通过三输入信号（EN、INA、INB）实现输出逻辑控制。通过外部噪音实现高侧、低侧同时ON防止设计
      • Package: 6.50mm x 8.10mm x 2.01mm
      • Miller Clamp内置电路 [仅BM60212FV-C]
      • 输入信号电压(Note 4)：　VINH : 2.0 V or over　/ VINL : 0.8V or under
      • Gate Drive Voltage：10 to 24V
      • Gate Drive Current：3A

      (Note 4) 电源电压范围（VCCB）10~24V。

      Truth table

      ENA
      (input)      		 INA
      (input)      		 INB
      (input)      		 OUTA
      (output)      		 OUTB
      (output)
      L X X L L
      H L L L L
      H L H L H
      H H L H L
      H H H L L
      测定图

      Power Device Lineup