S2206
N-channel SiC（碳化硅）功率MOSFET Bare die
S2206
S2206
N-channel SiC（碳化硅）功率MOSFET Bare die
S2206是基于SiC的平面型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
120
Generation
2nd Gen
Drain Current[A]
29
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
· Low ON resistance· Fast switching speed
· Fast revese recovery
· Easy to parallel
· Simple to drive
