S4102
N-channel SiC（碳化硅）功率MOSFETbare die
S4102
S4102
N-channel SiC（碳化硅）功率MOSFETbare die
S4102是SiC（碳化硅）功率MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
30
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
72
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
