S6401
SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管Bare Die
S6401
S6401
SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管Bare Die
S6401是SiC的外延平面型肖特基势垒二极管。其特点是恢复时间短、高速开关。
关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Reverse Voltage[V]
1700
Continuous Forward Current[A]
10
Generation
2nd Gen
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
· Shorter recovery time· Reduced temperature dependence
· High-speed switching possible
