什么叫SiC功率器件？

SiC半导体
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。其绝缘击穿场强度是Si的10倍，禁带宽度是Si的3倍，基于这些优势，SiC作为一种超越Si极限的功率元器件材料被寄予厚望。
SiC SBD
使用SiC可以通过具有高速特点的器件结构——SBD（肖特基势垒二极管）结构实现600V以上的高耐压二极管。因此，用SiC SBD替换FRD（快速恢复二极管），能够显著减少反向恢复损耗。
SiC-MOSFET
SiC器件的漂移层电阻比Si器件低，因此可以通过具有高速器件结构特点的MOSFET同时实现高耐压和低阻值。
SiC功率模块
搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的SiC功率模块可显著降低由IGBT的尾电流和FRD的反向恢复电流引起的开关损耗。