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ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率
新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动

2023年4月20日

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。

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近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。

新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd*3（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，新产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。

新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，不含税）。另外，新产品也已开始电商销售，从Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC等电商平台均可购买。

未来，ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET，通过助力各种设备降低功耗和更加节能，为环境保护等社会问题贡献力量。

新产品“RS6xxxxBx/RH6xxxxB系列”与以往产品的MOSFET性能比较
在工业设备用电源评估板上的效率比较

＜产品阵容＞

产品型号 数据表 VDSS
[V]		 ID[A]
TC=25°C		 RDS(on)[mΩ] Qg[nC] Qgd
[nC]		 封装名称
[mm]
VGS=10V VGS=10V VGS=6V VGS=4.5V
Typ. Max. Typ. Typ. Typ. Typ.
NewRS6G120BG PDF 40 120 1.03 1.34 67 - 34 12 HSOP8
HSOP8
（5.0×6.0×1.0）
NewRS6G100BG PDF 100 2.6 3.4 24 - 11.8 4.3
NewRS6L120BG PDF 60 120 2.1 2.7 51 - 25 7.3
NewRS6L090BG PDF 90 3.6 4.7 28 - 14 4.1
NewRS6N120BH PDF 80 120 2.8 3.3 53 33 - 10.1
NewRS6P100BH PDF 100 100 4.5 5.9 45 29 - 11.7
NewRS6P060BH PDF 60 8.2 10.6 25 16.2 - 6.3
NewRS6R060BH PDF 150 16.7 21.8 46 30 - 12
NewRS6R035BH PDF 35 32 41 25 16.2 - 6.4
NewRH6G040BG PDF 40 40 2.8 3.6 25 - 11.8 4.5 HSMT8
HSMT8
（3.3×3.3×0.8）
NewRH6L040BG PDF 60 5.5 7.1 18.8 - 9.2 2.7
NewRH6P040BH PDF 100 12 15.6 16.7 10.9 - 4.4
NewRH6R025BH PDF 150 25 46 59 16.7 11 - 4.4

＜应用示例＞

  • ◇通信基站和服务器用的电源
  • ◇工业和消费电子产品用的电机

以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。

＜电商销售信息＞

起售时间：2023年4月开始
电商平台：Ameya360，Sekorm，Oneyac，RightIC
在其他电商平台也将逐步发售。

1枚起售

  • Ameya360
  • Sekorm
  • Oneyac
  • RightIC

＜术语解说＞

*1) Nch MOSFET
通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。
与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。
*2) 导通电阻（Ron）
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的功率损耗越少。
*3) Qgd（栅-漏电荷）
MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。

＜产品视频＞

＜新产品参考资料"Featured Products"＞

Featured Products
非常适用于基站、服务器用的电源和工业设备、消费电子设备用的电机驱动应用
低导通电阻 Nch 功率MOSFET（铜夹片型）
RS6xxxx系列/RH6xxxx系列（PDF:940KB）