Super Junction MOSFET

罗姆的高压（600V～）功率MOSFET产品采用了超级结技术。 该技术实现了高速开关和低导通电阻，可以减少应用损耗。罗姆有低噪声和高速开关两类产品，可以根据客户的需求进行提案。此外，PrestoMOS™系列采用了罗姆的专利技术，内置了快速二极管，有助于电机和逆变器等节能。

推荐使用罗姆的Super Junction-MOSFET的三个理由

  • ①根据客户需求提供三种产品系列
  • ②每种系列提供丰富的导通电阻和封装阵容
  • ③高性能、高品质、完善的支持体制

[新系列]
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的
600V耐压超级结 MOSFET “R60xxRNx系列”

ROHM在其600V耐压Super Junction MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。

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[新系列]
同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的
600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”

ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET“PrestoMOS™”拥有业界超快的反向恢复时间，非常适用于电动汽车充电桩、服务器和基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等白色家电的电机驱动，此次，又新增了支持大功率应用的“R60xxVNx系列”7款机型。

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[新封装]
有助于照明电源、电泵、电机等应用的小型化和薄型化！
采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

ROHM通过改进内置芯片的形状，在不牺牲以往产品性能的前提下开发出5款更小更薄的SOT-223-3封装新产品。
与以往TO-252封装（6.60mm×10.00mm×2.30mm）的产品相比，新产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。

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Sekorm

罗姆的Super Junction-MOSFET

●更宽的耐压范围和更低的导通电阻

  500mΩ　≤　Ron typ. 500mΩ　 ＞ 　Ron typ.
  Active   Active  
800V R80xxKNx     R80xxKNx    
650V R65xxENx R65xxKNx     R65xxENx R65xxKNx   Under
Planning
600V R60xxENx R60xxKNx   Under
Development		 R60xxENx R60xxKNx   R60xxYNx
R60xxJNx   R60xxRNx
(Low Noise)		 R60xxJNx   R60xxVNx
  • ：低噪声规格
  • ：高速开关规格
  • ：内置高速二极管
  • ：第4代通用型
  • ：内置第4代高速二极管

●有6种封装选择

系列 封装
表面贴装型 引脚插入型
New SOT-223-3 TO-252
[DPAK]		 LPTS
[D2PAK]		 TO-220AB TO-220FM TO-3PF TO-247
SOT-223-3 TO-252[DPAK] LPTS [D2PAK] TO-220AB TO-220FM TO-3PF TO-247
800V   R80xxKND3     R80xxKNX   R80xxKNZ4
650V   R65xxEND3 R65xxENJ   R65xxENX R65xxENZ R65xxENZ4
  R65xxKND3 R65xxKNJ R65xxKNX3 R65xxKNX R65xxKNZ R65xxKNZ4
600V
Gen.4
New		   R60xxYND3   R60xxYNX3 R60xxYNX R60xxYNZ R60xxYNZ4
  R60xxVND3   R60xxVNX3 R60xxVNX R60xxVNZ R60xxVNZ4
600V
Gen.3		 R600xEND4 R60xxEND3 R60xxENJ   R60xxENX R60xxENZ R60xxENZ4
R600xKND4 R60xxKND3 R60xxKNJ   R60xxKNX R60xxKNZ R60xxKNZ4
R600xJND4 R60xxJND3/RND3 R60xxJNJ   R60xxJNX R60xxJNZ R60xxJNZ4
  • ：低噪声规格
  • ：高速开关规格
  • ：内置高速二极管
  • ：第4代 通用型
  • ：内置第4代高速二极管PrestoMOS™

●在广泛的应用中都有采用，不仅在特性方面，还在质量和支持方面也受到了高度评价

在广泛的应用中都有采用，不仅在特性方面，还在质量和支持方面也受到了高度评价

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宣传单

何谓PrestoMOS™

PrestoMOS™是采用罗姆专利技术将Super Junction-MOSFET的寄生二极管加速化的产品。通常，Super Junction-MOSFET的寄生二极管因其特有的内部结构，比一般的MOSFET，恢复性能差。因此，以往Super Junction-MOSFET不能用于使用寄生二极管的电路，如逆变器和桥式PFC电路。
PrestoMOS™已加速寄生二极管，可以克服Super Junction-MOSFET的弱点，有助于使用电机驱动用逆变器或桥式电路的应用大幅节能。

何谓PrestoMOS™

由于近年的来节能趋势，用PrestoMOS™替代广泛用于逆变器的IGBT + FRD组合的例子正在增加。由于具有出色的恢复特性，有助于应用的节能。

替换使用PrestoMOS™，实现节能！

第4代 PrestoMOS™ R60xxVNx系列

  Package
TO-252 TO-220FM TO-220AB TO-3PF TO-247
VDS
(V)		 Ron typ
(mΩ)
Vgs=15V		 trr typ
(ns)		 TO-252 TO-220FM TO-220AB TO-3PF TO-247
600 250 65 R6013VND3 R6013VNX      
170 68   R6018VNX      
127 80   R6024VNX R6024VNX3    
95 92   R6035VNX R6035VNX3    
59 112   R6055VNX ☆R6055VNX3 R6055VNZ R6055VNZ4
42 125       R6077VNZ R6077VNZ4
22 167         ☆R60A4VNZ4

推荐应用

  • 电机驱动
  • 节能型白色家电
  • 充电桩
  • 太阳能电池功率调节器
  • 各种电源电路（LLC/图腾柱PFC/全桥）
推荐应用

业内出色的反向恢复特性

ROHM的PrestoMOS™系列采用ROHM自有的专利技术，提高了寄生二极管的反应速度，使关键特性——反向恢复时间（trr）达到了业界超快水平。通常，该特性会因微细化和升级换代而受损，但ROHM的第4代PrestoMOS™ R60xxVNx系列通过优化结构，在保持业界超快trr的同时，还改善了导通电阻等基本性能。 业界超快的trr特性可以降低电机和逆变器电路的开关损耗。双脉冲测试被广泛用作确认这些损耗的方法。（如欲了解双脉冲测试的概要，请参考《应用指南》。）下图是通过双脉冲测试确认单脉冲导通时的开关损耗的结果。从结果可以看出，ROHM的PrestoMOS™ R60xxVNx系列的导通损耗比ROHM以往产品和其他公司产品更低。下图是ROHM的PrestoMOS™ R60xxVNx系列实际用于同步整流升压电路时的效率确认结果。与上述双脉冲测试中确认的损耗关系类似，实机评测结果表明，R60xxVNx系列的损耗更低，效率更高。

  • ■双脉冲测试的开关损耗确认结果

    双脉冲测试的开关损耗确认结果
    * 用于开关比较的产品均为导通电阻100mΩ级的产品，确认它们在漏极电流为15A的条件下改变栅极电阻后导通时的开关损耗。曲线图的横轴使用的是与各栅极电阻对应的导通时的电流变化量dif/dt的值。

  • ■使用同步整流升压电路的效率比较结果

    使用同步整流升压电路的效率比较结果
    * 所有用于实机对比的产品均为导通电阻60mΩ级的产品，在环境温度25℃、输入电压220V、输出电压400V、L=500μH、频率70kHz、关断时的VDS过冲条件下，对它们进行了测试。

可以实现高耐压和低导通电阻的超级结结构，通过结构的进一步微细化可提高性能。
通过结构的微细化提高了电流密度，与以往产品（R60xxKNx）相比，成功地将性能指数Ron・A降低了35%，将Ron・Qgd降低了30%。因此，在导通电阻与以往产品相同的情况下，可以进一步降低开关损耗，有助于应用产品更加节能。

  • 以往结构 新结构
  • 比以往的高速开关型产品还要快！

第4代 Super junction MOSFET R60xxYNx系列

  Package
TO-252 TO-220FM TO-220AB TO-3PF TO-247 TOLL
VDS
(V)		 Ron typ
(mΩ)
Vgs=15V		 TO-252 TO-220FM TO-220AB TO-247 To-3PF TOLL
600 324 ☆R6010YND3 ☆R6010YNX NEWR6010YNX3      
215 NEWR6014YND3 NEWR6014YNX NEWR6014YNX3      
154   NEWR6020YNX NEWR6020YNX3   NEWR6020YNZ4 ☆R6020YNJ2
137   NEWR6022YNX NEWR6022YNX3   NEWR6022YNZ4 ☆R6022YNJ2
112   NEWR6027YNX NEWR6027YNX3   NEWR6027YNZ4 ☆R6027YNJ2
80   ☆R6038YNX NEWR6038YNX3   NEWR6038YNZ4 ☆R6038YNJ2
68   NEWR6049YNX NEWR6049YNX3   NEWR6049YNZ4 ☆R6049YNJ2
57           ☆R6055YNJ2
50   NEWR6061YNX ☆R6061YNX3   NEWR6061YNZ4  
36       NEWR6086YNZ NEWR6086YNZ4  
21         ☆R60A4YNZ4  

推荐应用

・电视机
・服务器
・UPS
・光伏功率调节器
・LED照明
・各种电源电路（BoostPFC [BCM,CCM] /三相ViennaPFC）

推荐应用

业界超快的开关速度

不仅更加微细化，还通过优化结构实现了业界超快的开关速度，有助于在电流连续模式下的PFC等硬开关型电路中实现更高效率。此外，在热设计和噪声设计过程中调整栅极电阻时，与其他公司产品相比，依然保持优势。

■产品单体的开关损耗

  • 产品单体的开关损耗

  • ・测试电路

    测试电路
    *比较用的产品均为导通电阻50mΩ级的产品。在漏极电流为10A的条件下，确认关断时的栅极电阻固定为5Ω、且改变导通时的栅极电阻时的开关损耗。

与以往产品相比，阵容更加丰富！

对于每种封装，均能提供比以往产品导通电阻更低和支持电流更大的产品。此外，通过在产品阵容中增加TO220AB和TOLL封装产品，将能够进一步满足客户的多样化需求。

  • ■每种封装的最小导通电阻值大范围更新

    每种封装的最小导通电阻值大范围更新

  • ■产品阵容中新增TOLL封装产品

    产品阵容中新增TOLL封装产品

低噪声规格/高速开关规格

提供两种类型的超级结MOSFET，即具有低噪声规格的R6xxxENx系列和具有高速开关规格的R6xxxxKNx系列，分别具有600V耐压和650V耐压，并且都具有多种封装类型。
R6xxxENx系列强调易用性，并在噪声应用中实现优异性能。
R6xxxKNx系列强调高效率，并在追求高速开关的应用中实现优异性能。
由于R6xxxENx系列和R6xxxKNx系列具有相同的导通电阻，因此可以选择适合客户应用的系列。
我们还提供符合高速开关规格的800V产品阵容，实现优异的性能。

低噪声规格R60xxENx/R65xxENx系列

R6xxxENx系列是强调易用性的低噪声产品。
超级结MOSFET显著改善了传统平面MOSFET的导通电阻和开关性能，作为反作用，通常存在噪声特性劣化的问题。然而，R6xxxENx系列可以通过调整芯片内部的栅极结构，实现低噪声性能，并且可以抑制因噪声引起的损耗。
尤其适用于希望极力降低噪声的音响和照明等应用。
此外，由于低噪声性能与传统的平面MOSFET相同，因此可以轻松替换平面MOSFET。

低噪声规格R60xxENx/R65xxENx系列
VDS=600V Package
New
SOT-223-3		 TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)		 2800   R6002END3        
900 NEWR6004END4  R6004END3 R6004ENJ R6004ENX    
570   R6007END3 R6007ENJ R6007ENX    
500   R6009END3 R6009ENJ R6009ENX    
340   R6011END3 R6011ENJ R6011ENX    
260     R6015ENJ R6015ENX R6015ENZ  
170     R6020ENJ R6020ENX R6020ENZ R6020ENZ4
150     R6024ENJ R6024ENX R6024ENZ R6024ENZ4
115       R6030ENX R6030ENZ R6030ENZ4
92         R6035ENZ R6035ENZ4
66           R6047ENZ4
38           R6076ENZ4
VDS=650V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)		 3000 ☆R6502END3        
955 R6504END3 R6504ENJ R6504ENX    
605 R6507END3 R6507ENJ R6507ENX    
530 R6509END3 R6509ENJ R6509ENX    
360 R6511END3 R6511ENJ R6511ENX    
280   R6515ENJ R6515ENX R6515ENZ  
185   R6520ENJ R6520ENX R6520ENZ R6520ENZ4
160   R6524ENJ R6524ENX R6524ENZ R6524ENZ4
125     R6530ENX R6530ENZ R6530ENZ4
98       R6535ENZ R6535ENZ4
70         R6547ENZ4
40         R6576ENZ4

☆：Under Development

高速开关规格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx

R6xxxKNx系列是一款强调高效率的高速开关产品。
基于改良低噪声R6xxxENx系列的内部MOSFET结构，极大地改善了影响开关速度的GateCharge特性。因此R6xxxENx系列的易用性基本不变，就可通过高速开关实现高效率。
有助于实现PFC和LLC等电路的高效率。
我们还提供符合高速开关规格的800V产品阵容，实现优异的性能。

高速开关规格R60xxKNx/R65xxKNx
VDS=600V Package
New
SOT-223-3		 TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
SOT-223-3 TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)		 1300 NEWR6003KND4 R6003KND3        
900   ☆R6004KND3 R6004KNJ R6004KNX    
720 NEWR6006KND4 R6006KND3 ☆R6006KNJ R6006KNX    
570   R6007KND3 R6007KNJ R6007KNX    
500   R6009KND3 R6009KNJ R6009KNX    
340   R6011KND3 R6011KNJ R6011KNX    
260     R6015KNJ R6015KNX R6015KNZ  
170     R6020KNJ R6020KNX R6020KNZ R6020KNZ4
150     R6024KNJ R6024KNX R6024KNZ R6024KNZ4
115       R6030KNX R6030KNZ R6030KNZ4
92         R6035KNZ R6035KNZ4
66           R6047KNZ4
38           R6076KNZ4

☆：Under Development

VDS=650V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)		 1400 ☆R6503KND3        
955 R6504KND3 R6504KNJ R6504KNX    
605 R6507KND3 R6507KNJ R6507KNX    
530 R6509KND3 R6509KNJ R6509KNX    
360 R6511KND3 R6511KNJ R6511KNX    
280   R6515KNJ R6515KNX R6515KNZ  
185   R6520KNJ R6520KNX R6520KNZ R6520KNZ4
160   R6524KNJ R6524KNX R6524KNZ R6524KNZ4
125     R6530KNX R6530KNZ R6530KNZ4
98       R6535KNZ R6535KNZ4
70         R6547KNZ4
40         R6576KNZ4

☆：Under Development

VDS=800V Package
TO252 TO220FM TO247
TO252 TO220FM TO247
Ron typ
(mΩ)		 7200 ☆R8001KND3    
3500 NEWR8002KND3 NEWR8002KNX  
1500 NEWR8003KND3 NEWR8003KNX  
750 NEWR8006KND3 NEWR8006KNX  
500   NEWR8009KNX  
370   NEWR8011KNX ☆R8011KNZ4
200   NEWR8019KNX ☆R8019KNZ4
80     ☆R8052KNZ4

☆：Under Development

第三代PrestoMOS™ R60xxJNx系列

  Package
New
SOT-223-3		 TO252 LPTS TO220FM TO3PFF TO247
SOT-223-3 TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)		 2500 NEWR6002JND4          
1600 NEWR6003JND4          
1100   R6004JND3 R6004JNJ R6004JNX    
720   R6006JND3 R6006JNJ R6006JNX    
600   R6007JND3 R6007JNJ R6007JNX    
450   R6009JND3 R6009JNJ R6009JNX    
350     R6012JNJ R6012JNX    
220     R6018JNJ R6018JNX    
180     R6020JNJ R6020JNX R6020JNZ R6020JNZ4
140       R6025JNX R6025JNZ R6025JNZ4
110       R6030JNX R6030JNZ R6030JNZ4
90           R6042JNZ4
          R6050JNZ R6050JNZ4
45           R6070JNZ4

☆：Under Development

特点① 快速反向恢复特性

罗姆的PrestoMOS™系列采用罗姆的专利技术，加快了寄生二极管的反应速度，因此具有快速反向恢复时间（trr）。 然而，由于二极管的高速工作，急剧的电流变化可能导致大振荡。
第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列，通过优化结构，反向恢复时不易引起振荡。这样可以简化客户的振荡对策。如果恢复时有振荡问题，请务必试用本产品。

特点①快速反向恢复特性

特点② 追求易用性

罗姆的PrestoMOS™系列，适用于电机驱动用逆变器和桥式电路，这些电路需要高短路击穿耐受力和自导通抑制。
短路击穿耐受能力低时，MOSFET被击穿的可能性增加，如果发生自导通，则功率损耗变大。
第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列，通过调整内部结构，可以解决这两个问题。
与竞争对手的新一代产品相比，也能保证高短路击穿耐受力，可以更安全地使用。
而且，由于抑制了自导通，可以减少工作时的功率损耗。

特点②追求易用性

第三代PrestoMOS™ R60xxRNx系列

产品型号 数据表 极性
[ch]		 VDSS
[V]		 ID
[A]		 PD
[W]
*TC=25℃		 RDS(on)（Typ.）
[mΩ]
*VGS=15V		 Qg（Typ.）
[nC]
*VGS=15V		 trr（Typ.）
[ns]		 封装
NewR6004RND3 PDF N 600 4 60 1,330 10.5 40 TO-252
TO-252
<DPAK>
NewR6007RND3 PDF 7 96 730 17.5 50
NewR6009RND3 PDF 9 126 510 22.5 55

特点　在继承超快反向恢复时间特性的同时实现低噪声

通过改进自有的Lifetime控制技术实现了40ns业内超快反向恢复时间，与普通产品相比，其开关损耗降低约30%，有助于进一步降低设备的功率损耗。
另外，通过采用新开发的自有Super Junction结构，与普通产品相比，与反向恢复时间之间存在权衡关系的噪声也降低了约15dB（在ROHM测试条件下，比较40MHz时的表现）。有助于减少设备的抗噪声设计工时和部件数量。

※2023年3月　罗姆调查

新产品“R60xxRNx系列”的特点
新产品“R60xxRNx系列”的应用优势