什么是GaN功率器件（GaN HEMT）？ NEW
什么是GaN功率器件（GaN HEMT）？
- 什么是GaN功率器件? NEW
GaN是一种化合物半导体，使用这种GaN的晶体管就是被称为“GaN HEMT”的功率器件。
与目前主流的半导体材料Si相比，采用GaN这种材料的功率器件具有导通损耗少（低导通电阻）和高速开关性能优异的特点，能够满足市场对于提高功率转换效率和小型化的需求。
- 什么是GaN？ NEW
GaN（Gallium Nitride：氮化镓）是由Ga（镓）元素和N（氮）元素组成的化合物半导体材料。
化合物半导体是一种由两种或两种以上的元素结合在一起的半导体。。
- 什么是GaN HEMT？ NEW
GaN HEMT中的“HEMT”是“High Electron Mobility Transistor”的首字母缩写，意为“高电子迁移率晶体管”。
高电子迁移率晶体管是使用了电子迁移率高的半导体材料的晶体管，可实现高速开关（高频工作）。
- 如何用好GaN功率器件 NEW
要想激发出GaN HEMT高速开关的性能，需要具备能够得心应手地使用GaN HEMT的技术，这一点非常重要。
具体而言，是需要超高速驱动栅极驱动器IC和支持高速脉冲控制的控制器IC。
