如何用好GaN功率器件
要想激发出GaN HEMT高速开关的性能，需要具备能够得心应手的技术，这一点非常重要。具体而言，是需要超高速驱动栅极驱动器IC和支持高速脉冲控制的控制器IC。
了解决这个课题，ROHM推出了将GaN HEMT和栅极驱动器IC一体化封装的“Power Stage IC”产品。
使用Power Stage IC，无需进行繁琐的驱动调整，可以轻松替换Si MOSFET。
Power Stage IC概要
GaN HEMT和栅极驱动用驱动器IC一体化封装
无需进行繁琐的驱动调整，可更大程度地激发出GaN HEMT的性能
减少相关元器件的数量
半导体制造商ROHM生产的Power Stage IC中内置了相关的外围元器件，有助于减少相关元器件的数量和安装面积并降低安装成本。
