导通电阻

何谓导通电阻？

MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。
数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。

关于导通电阻的电气特性

晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （V_CE(sat)） 乘以集电极电流（I_C）表示。

（集电极损耗P_C））＝（集电极饱和电压V_CE(sat) ）x（集电极电流I_C）

MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻 （R_DS(ON)） 计算。
MOSFET消耗的功率P_D用MOSFET自身具有的导通电阻乘以漏极电流（I_D)的平方表示。

（功率P_D）＝（导通电阻R_DS(ON) ） x （漏极电流I_D）²

此功率将变成热量散发出去。
MOSFET的导通电阻一般在Ω极以下，与一般的晶体管相比，消耗功率小。即发热小，散热对策简单。

如左上图所示，栅极源极间电压越高，导通电阻越小。另外，栅极源极间电压相同的条件下，导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时，需要考虑栅极源极间电压和漏极电流，选择适合的导通电阻。
另外，如右上图所示，导通电阻因温度变化而变化，因此需要注意这一特性。

导通电阻比较

一般MOSFET的芯片尺寸（表面面积）越大，导通电阻越小。
下图显示了不同尺寸的小型封装条件下，罗姆最小导通电阻值的比较。
封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大，因此导通电阻越小。
罗姆针对各种不同的封装尺寸，备有低导通电阻的产品。
选择更大尺寸的封装，导通电阻会更小。

各封装的搜索页请点这里

DFN0604 (0.6x0.4mm)

DFN1006 (1.0x0.6mm)

DFN2020 (2.0x2.0mm)