什么是晶体管?晶体管

关于晶体管ON时的逆向电流

在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。

1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的

2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。
也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。

3. 逆向晶体管有如下特点。

• h_FE低（正向约10%以下）
• 耐压低 (7 to 8Ｖ 与V_EBO一样低)
  ↑通用TR的情况，除此之外，还有5V以下
  (突破此耐压范围，会发生h_FE低下等特性的劣化，请注意。)
• V_CE(sat)及V_BE(ON)的特性没有太大的变化

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关于封装功率容许功

定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj＝150°C)时的功率。

这里，P_C、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有Tj不能直接得出。因此，如下列出使用V_BE的测试方法。

V_BE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：V_BE根据温度变化。

由此，通过测定V_BE，可以推测结温。
通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：P_C(max)。
(假设1W晶体管的情况下，输入条件为V_CB=10V I_E=100mA)

如图2:

• 测定V_BE的初始值V_BE1
• 对晶体管输入功率，使PN结热饱和
• V_BE的后续值：测定V_BE2

从这个结果得出△V_BE=V_BE2-V_BE1。

这里，硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/ºC。
（达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC）
因此，根据由输入功率得出△V_BE，可以由以下算式得出上升的结温。

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f_T：增益带宽积、截止频率

f_T：增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。
所谓极限，即基极电流对集电极电流的比为1（即h_FE=1）的情况。

提高基极输入频率，h_FE变低。
这时，h_FE为1时的频率叫做f_T（增益带宽积）。
f_T指在该频率下能够工作的极限值。
但是，实际使用时能够动作的只有f_T值的1/5 to 1/10左右。

测定条件如下
f： 根据测定装置而定。为测定的标准频率。
V_CE：任意设定。我公司为一般值。
I_C：任意设定。我公司为一般值。

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