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硅电容器简介

硅电容器是利用了薄膜半导体技术的小而薄的电容器,具有在施加电压和温度变化时,电容量也能保持稳定的特点。
另外,由于不具有压电效应,所以电压发生变化不会引发啸叫。
ROHM可提供内置TVS保护元件、ESD耐受能力出色的产品。
具备这些特点的硅电容器被广泛应用于智能手机、可穿戴终端、高速大容量通信设备、工业设备、车载设备等领域。

有关各种电容器的比较,请参阅“各种电容器的种类和特点”页面。

按照内部结构和产品安装方法分类

内部结构(沟槽型示例)

1.按内部结构分类

硅电容器按内部结构可以分为平面型和沟槽型两类。
平面型的形状简单,易于生产,且电介质和电极均匀,因此适合高耐压产品。
沟槽型由于衬底上带有沟槽,所以电极和电介质的表面积更大。相比平面型,可以获得更大的电容量。
ROHM专注于沟槽型的小型大容量硅电容器领域。

按内部结构分类

2.按产品安装方法分类

硅电容器的安装方法有焊接安装和引线键合安装两种。
焊接安装产品适合高密度安装,而引线键合安装产品则适合与IC等其他元器件一体化封装的应用。

按产品安装方法分类

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