什么是GaN？
GaN（Gallium Nitride：氮化镓）是由Ga（镓）元素和N（氮）元素组成的化合物半导体材料。
化合物半导体是一种由两种或两种以上的元素结合在一起的半导体。
其他化合物半导体还有SiC（Silicon Carbide：碳化硅）、GaAs（Gallium Arsenide：砷化镓）和InAs（Indium Arsenide：砷化铟）等。
与Si的物理特性相比，GaN在高温工作、高速工作、工作极限电压和低功耗等方面都具有更出色的物理特性。
另外，与Si相比，GaN和SiC的带隙更宽，被称为“宽带隙半导体”。带隙越宽，可以实现的耐压能力越高。
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Electron Mobility(cm2/Vs)：GaN（2DEG=2Dimensional Electron Gas） 1500~2000
什么是带隙？
电子所能具有的能量是与被称为“能级”的电子轨道（s轨道、p轨道）相对应的特定值。这个能级的范围称为“能带”。
其中，能级高的能带称为“导带”，能级低的能带称为“价带”。
另外，能带之间不允许电子存在的范围是“禁带”，导带底与价带顶之间的能级差称为“带隙”。
换句话说，带隙是电子从价带跃迁到导带所需的能量。
Si的带隙为1.12eV，SiC的带隙为3.26eV，GaN的带隙为3.5eV，其中GaN的带隙值最大。
带隙的单位是eV（电子伏特），定义是“一个电子经过1伏特的电压加速后所获得的动能”，1[eV]≒1.602×10-19[J]
当温度升高时，会发生热能导致电子从价带跃迁到导带的现象（本征激发）。
宽带隙半导体GaN和SiC需要比Si更高的热能才会发生电子跃迁。因此，GaN和SiC可以实现更高耐压。
